参数:
Vin (Min) (V)
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3.2
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Vin (Max) (V)
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65
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Features
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Enable, Reverse polarity protection
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Iq (Typ) (mA)
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0.06
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Iq (Max) (mA)
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0.110
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IGate source (Typ) (uA)
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60
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IGate sink (Typ) (mA)
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2370
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IGate pulsed (Typ) (A)
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2.37
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Operating temperature range (C)
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-40 to 125
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Design support
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EVM
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Rating
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Automotive
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Channel(s) controlled (#)
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1 |
FET
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External
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封装 | 引脚 | 尺寸:
SOT-23-THN (DDF)
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8 |
8 mm² 2.9 x 2.8
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特性:
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- -65V 输入反向电压额定值
- 集成电荷泵用于驱动
- 外部背对背 N 沟道 MOSFET
-
外部高侧开关 MOSFET
-
外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动器型号
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2A 峰值栅极灌电流能力
-
1µA 关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 45µA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高电平)
-
可调节过压和欠压保护
- 采用额外的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
说明:
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器,与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作,可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能,适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载(如汽车车身控制模块电机负载)提供输入反极性保护。
LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流,从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能,可在发生这些故障时将负载从输入源切断。
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